Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
DOI: https://doi.org/10.15407/hftp09.01.040
Анотація
У роботі одержано плівки CdS на поруватих напівпровідникових підкладках Si технологією хімічного поверхневого осадження. Вивчено морфологію та хімічний склад отриманих структур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур CdS/porous-Si/p-Si як фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії.
Ключові слова
Посилання
1. Kidalov V.V., Sukach G.A., Petukhov A.O., Revenko A.S., Potapenko E.P. Photoluminescent and structural properties of GaN thin films obtained by radical-beam gettering epitaxy on porous GaAs (001). J. Lumin. 2003. 102–103: 712. https://doi.org/10.1016/S0022-2313(02)00629-4
2. Kidalov V.V., Sukach G.A., Revenko A.S., Potapenko E.P. Ultraviolet luminescence of GaN thin films grown on porous GaAs (111) substrates by radical-beam getering epitaxy. Semiconductors. 2003. 37(11): 1303. [in Russian]. https://doi.org/10.1134/1.1626205
3. Kidalov V.V., Khrypko S.L. Solar Cells Based on Low-dimensional Nanocomposite Structures. Journal of Nano- and Electronic Physics. 2016. 8(4): 04071. [in Russian].
4. Dyadenchuk A.F., Kidalov V.V. Using of the Porous A3B5 Compounds for Supercapacitor Electrodes. Journal of Nano- and Electronic Physics. 2015. 7(1): 01021. [in Russian].
5. Tomakin M., Altunbas M., Bacaksiz E., Celik S. Current transport mechanism in CdS thin films prepared by vacuum evaporation method at substrate temperatures below room temperature. Thin Solid Films. 2012. 520(7): 2532. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.10.160
6. Antipov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon. Solid State Physics. 2016. 58(3): 612. [in Russian]. https://doi.org/10.1134/S1063783416030033
7. Trehulov V.V. Research photovoltaic solar energy based heterostructures CdS/Si (p). Visnyk TDTU. 2010. 16(4): 892. [in Ukrainian].
DOI: https://doi.org/10.15407/hftp09.01.040
Copyright (©) 2018 A. F. Dyadenchuk, V. V. Kidalov
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.