Хімія, фізика та технологія поверхні, 2022, 13 (4), 383-390.

Теорія енергії зв’язку екситонних квазимолекул у германій/кремнійових подвійних квантових точках



DOI: https://doi.org/10.15407/hftp13.04.383

S. I. Pokutnyi, N. G. Shkoda, J. Usik

Анотація


Розвинуто теорію екситонних квазімолекул (утворених із просторово розділених електронів і дірок) у наносистемі, що складається з подвійних квантових точок (КТ) германію, синтезованих у кремнієвій матриці. Показано, що енергія зв’язку основного синглетного стану екситонної квазімолекули значно більша (майже на два порядки) за енергію зв’язку біекситону в монокристалі кремнію. Установлено, що утворення екситонної квазимолекули має пороговий характер і можливе в наносистемі, в якій відстань D між поверхнями КТ визначається умовою  (де  і  – деякі критичні відстані). Використовуючи варіаційний метод, отримано енергію зв'язку основного синглетного стану екситонної квазімолекули в такій системі, як функцію відстані D між поверхнями КТ та радіуса а КТ. Показано, що зближення двох КТ до певного критичного значення DC між поверхнями КТ, призводить до ефективного перекриття хвильових функцій електрона та виникнення обмінних взаємодій. В результаті можуть бути створені умови для виникнення екситонних квазимолекул з КТ. Установлено, що існування критичної відстані було наслідком квантових розмірних ефектів. Розмірне квантування руху електронів і дірок призводило до того, що зі зменшенням відстані D між поверхнями КТ зменшення енергій взаємодії електронів і дірок, які входили в гамільтоніан екситонної квазімолекули, не змогло компенсувати збільшення кінетичної енергії електронів та дірок. На більших відстанях D між поверхнями КТ, таких що , екситонна квазимолекула розпадалась на два екситони (що складались з просторово розділених електронів і дірок), локалізованих над поверхнями КТ. Той факт, що енергія основного стану синглетної екситонної квазімолекули знаходиться в інфрачервоному діапазоні спектра, імовірно, дозволяє використовувати квазімолекули для створення нових елементів кремнієвої інфрачервоної нанооптоелектроніки.


Ключові слова


просторово розділені електрони і дірки; квантові точки; енергія зв’язку; кулонівська та обмінна взаємодії

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


Yakimov A.I., Dvurechensky A.V., Nikiforov A.I. Spatial separation of electrons and holes of quantum dots Ge/Si. JETP Lett. 2001. 73(10): 598. https://doi.org/10.1134/1.1387520

Yakimov A.I., Dvurechensky A.V., Stepina N.P., Nikiforov A.I. Effects of electron-electron interaction in the optical properties of dense arrays of quantum dots Ge/Si. J. Exp. Theor. Phys. 2001. 119(3): 574. https://doi.org/10.1134/1.1364747

Smagina G.V., Dvurechensky A.V., Selesnev V.A. Linear chains of quantum dots Ge/Si when grown on the structured surface, articulated ion irradiation. Semiconductors. 2015. 49(6): 767. https://doi.org/10.1134/S1063782615060238

Stepina N.P., Yakimov A.I., Nenashev A.V., Dvurechensky A.V., Sobolev N.A., Leitao J.P., Kirienko V.V., Nikiforov A.I., Koptev E.S., Pereira L., Carmo M.C. Photoconductivity over an array of tunnel-connected quantum dots Ge/Si. 2006. J. Exp. Theor. Phys. 130: 309.

Yakimov A.I., Dvurechensky A.V., Kirienko V.V., Yakovlev Yu.I. Long- range Coulomb interaction in arrays of self-assembler quantum dots Ge/Si. Phys. Rev. B. 2000. 61(16): 10868. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.10868

Pokutnyi S.I. Excitons formed from spatially separated electrons and holes in geterostructures Ge/Si with quantum dots Ge. Low Temp. Phys. 2016. 42(12): 1471. https://doi.org/10.1063/1.4973506

Pokutnyi S.I. On an exciton with a spatially separated electron and hole in quasi-zero-dimensional semiconductor nanosystems. Semiconductors. 2013. 47(6): 791. https://doi.org/10.1134/S1063782613060225

Yakimov A.I., Bloshkin A.A., Dvurechensky A.V. Excitons in Ge/Si double quantum dots. JETP Lett. 2009. 90(8): 569. https://doi.org/10.1134/S0021364009200041

Pokutnyi S.I. Biexcitons formed from spatially separated electrons and holes in quasi-zero-dimensional semiconductor nanosystems. Semiconductors. 2013. 47(12): 1626. https://doi.org/10.1134/S1063782613120178

Lalumiure K., Sanders B., Van Loo F., Fedorov A., Wallraff A., Blais A. Imput - output theory for waveguide QED with an ensemble of inhomogeneous atoms. Phys. Rev. A. 2013. 88: 43806. https://doi.org/10.1103/PhysRevA.88.043806

Van Loo F., Fedorov A., Lalumiure K., Sanders B.C., Blais A., Wallraff A. Photon-mediated interactions between distant artificial atoms. Science. 2013. 342(6165): 1494. https://doi.org/10.1126/science.1244324

Efimkin D.K., Lozovik, Y.E. Sokolik A.A. Electron - hole pairing in a topological insulator thin film. Phys. Rev. B. 2012. 86(11): 115436. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.115436

Lozovik Y.E. Electronic and collective properties of topological insulators. Adv. Phys. Sci. 2014. 57(4): 653.

Valiev K. Quantum computers and quantum computing. Adv. Phys. Sci. 2005. 48 (1): 1. https://doi.org/10.1070/PU2005v048n01ABEH002024

Ukhanov Y.I. Optical properties of semiconductors. (Moscow: Nauka, 1977). [in Russian].




DOI: https://doi.org/10.15407/hftp13.04.383

Copyright (©) 2022 S. I. Pokutnyi, N. G. Shkoda, J. Usik

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.