Хімія, фізика та технологія поверхні, 2012, 3 (3), 312-316.

Дослідження впливу добавок паладію на чутливість до Н2 адсорбційно-напівпровідникових сенсорів на основі наноматеріалів, отриманих золь-гель методом



E. V. Sokovyh, L. P. Oleksenko, N. P. Maksymovych, I. P. Matushko, G. I. Skolyar

Анотація


Для створення газочутливого шару адсорбційно-напівпровідникових сенсорів водню синтезовано нанорозмірні матеріали на основі діоксиду олова з добавками паладію золь-гель методом з використанням етиленгліколю. Досліджено вплив малих концентрацій паладію на характеристики отриманих сенсорів до 40 ppm Н2. Показано, що властивості Pd-вмісних сенсорів визначаються каталітичними процесами окиснення Н2, що відбуваються на їхній поверхні.

Повний текст:

PDF

Посилання


Bourgeois, W., Romain, A.C., Nicolas, J. et al. J. Environ. Monitoring. 2003. 5. 852.

Barsan, N., Schweizer-Berberich, M., Gopel, W. Fresenius J. Anal. Chem. 1999. 365. 287.

Fonstad, G., Samson, S. J. Appl. Phys. 1973. 44. 4618.

Batzill, M., Diebold, U. Progress Surf. Sci. 2005. 79. 47.

Ray, S., Gupta, S., Singh, G. J. Ovonic Research. 2010. 6. 23.

Яцимирский В.К., Максимович Н.П., Болдырева О.Ю. и др. Влияние добавок Pt и Pd на чувствительность полупроводниковых сенсоров к водороду и их каталитическую активность в реакции окисления водорода // Теорет. эксперим. химия. – 2005. – Т. 41, № 5. – С. 302–306.

Yamazoe, N., Miura, N. Chem. Sens. Technol. 1992. 4. 20.

Yamazoe, N., Kurokowa, Y., Seiyama, T. Sensors and Actuators. 1993. 4. 283.

Бувайло А.И., Олексенко Л.П., Максимович Н.П. и др. Влияние размера частиц SnO2 на чувствительность к водороду адсорбционно-полупроводниковых сенсоров с активным покрытием СoxOy/SnO2 // Теорет. эксперим. химия. – 2010. – Т. 46, № 3. – С. 148–152.

ASTM Diffraction date cards of X-ray diffraction data. American Society for testing and materials. Philadelphia. 1946–1996.

Крылов О.В. Гетерогенный катализ. – Москва: Академкнига, 2004. – 679 с.




Copyright (©) 2012 E. V. Sokovyh, L. P. Oleksenko, N. P. Maksymovych, I. P. Matushko, G. I. Skolyar

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.