Написати автору Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію
Анотація
Методом функціоналу електронної густини з використанням базисного набору 6-31 G** розраховано рівноважну просторову будову кластерної моделі складу Si89(OH)43H*36 для пірамідального утворення на поверхні поруватого силіцію. Одержано розподіл електронного заряду та електростатичного поля в околі такого утворення. Виявлено, що напруженість електростатичного поля достатня для іонізації адсорбованих органічних молекул.
Повний текст:
Посилання
Wei J., Buriak J.M., Siuzdak G. Desorption-ionization mass spectrometry on porous silicon // Nature. – 1999. – V. 399. – P. 243–246.
Warren G., Zhouxin S., Finn M.G., Siuzdak G. Desorption/ionization on silicon (DIOS) mass spectrometry: background and application // Int. J. Mass Spectrom. – 2003. – V. 226, N 1. – P. 107–116.
W. Kohn, L.J. Sham Self-consistent equations including exchange and correlation effects // Phys. Rev. A. – 1965. – V. 140, N 4. – P. 1133–1138.
Bader R.F.W. Atoms in Molecules. A Quantum Theory. – Oxford: Oxford Univ. Press. – 1990. – 438 p.
Becke A.D. Density-functional thermochemistry. 3. The role of exact exchange // J. Chem. Phys. – 1993. – V. 98. – P. 5648–5652.
Copyright (©) 2010 M. I. Terebinska, V. V. Lobanov, A. G. Grebenyuk
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.