Хімія, фізика та технологія поверхні, 2010, 1 (3), 343-347.

Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55



T. N. Shchurova, N. D. Savchenko, K. O. Popovic, N. Yu. Baran

Анотація


Методами Оже-електронної спектроскопії і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого шару і хімічний склад аморфних плівок напилених зі стекол Ge33As12Se55, а також їх зміна при природному старінні протягом півроку. Показано, що існує поверхневий шар товщиною до 30 нм, збагачений атомами оксигену, германію та селену і збіднений атомами арсену. У процесі природного старіння в приповерхневому шарі плівки Ge33As12Se55 спостерігається зниження відносної концентрації германію та арсену при одночасному збільшенні концентрації селену та оксигену, що пов'язано з утворенням оксидних сполук As2O3 і GеО2, внаслідок чого відбувається розпушення поверхневого шару.

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


Savchenko N.D., Kondrat A.B., Shchu­rova T.N., Dovgoshey N.I. Bands splitting in heterojunctions chalcogenide film – crystalline semiconductor // Proc. Ukr. Vac. Soc 8th Int. Symp. Thin Films in Electronics / eds. V.G. Cherepin, V.M. Shulayev. – Kharkiv, 1997. – P. 262–265.

Savchenko N., Shchurova T., Trunov M. et al. Deposition technique and external factors effect on Ge33As12Se55 - Si heterostructure mechanical properties // Proc. SPIE. – 1997. – V. 3182. – P. 319–324.

Savchenko N. Energy band diagram for the Ge33As12Se55 ‑ Si heteroboundary // Inst. Phys. Conf. N 152. ‑ IOP Publishing Ltd, 1998. ‑ P. 723‑726.

Dovgoshey N.I., Kondrat O.B., Sav­chenko N.D., Sidor Yu.J. The influence electrode material on charge transition in structures Si – Ge33As33Se55 investigation // phy­sics and chemistry of solid state. – 2000. – V. 1, N 1. – P. 119–123.

Shchurova T.N., Savchenko N.D., Kon­drat A.B., Opachko I.I. Auger analysis and simulation of electronic states for Ge33As12Se55 ‑ p-Si heterojunction // Surf. Interface Anal. – 2006. – V. 38. – P. 448–451.

Savchenko N.D., Kondrat A.B., Shchu­rova T.N. et al. Amorphous-crystalline he­terojunctions for optoelectronic sensors: Electronic structure and properties // Sensor Electronics and Microsystem Technologies. ‑ 2007. ‑ N 4. ‑ P. 21‑25.

Zakery A., Hatami M. Nonlinear optical properties of pulsed-laser-deposited GeAsSe films and simulation of a nonlinear directional coupler switch // J. Opt. Soc. Am. B. ‑ 2005. ‑ V. 22, N 3. ‑ P. 591–597.

Wang R., Rode A., Choi D.-Y., Luther-Davies B. Surface Oxidation of Ge33As12Se55 Films // J. Am. Ceram. Soc. – 2008. – V. 91, N 7. ‑ P. 2371‑2373.

Wang R.P., Choi D.Y., Rode A.V. et al. Rebonding of Se to As and Ge in Ge33As12Se55 films upon thermal annealing: Evidence from x-ray photoelectron spectra Investigations // Appl. Phys. ‑ 2007. ‑ V. 101, N 11: ‑ P. 113517(1–4).

Choi D.-Y., Madden S., Rode A. et al. Fabrication of low loss Ge33As12Se55 (AMTIR) planar waveguides // Appl. Phys. Lett. ‑ 2007. ‑ V. 91, N 11. ‑ P. 011115(1–3).

Crist B.V. Handbooks of Monochromatic XPS Spectra. – Mountain View: XPS International LLC, 2004. – V. 1. – 546 p. – V. 3. –565 p.

Moulder J.F. Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy / 2nd edition. – Minnesota: Perkin-Elmer Corp., 1992. – 259 p.

Briggs D., Seah M.P. Practical surface analysis. – New York: John willey & sons, 1996. – 657 p.

XPS and AES database [Electronic resource]. – URL: http://www.lasurface.com/xps/index.php; http://www.xpsdata.com.

Crist B.V. A Review of XPS Data-Banks XPS Reports 2007 // XPS Reports. – 2007. – V. 1. – P. 1–52.




Copyright (©) 2010 T. N. Shchurova, N. D. Savchenko, K. O. Popovic, N. Yu. Baran

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.