Теорія енергії зв’язку екситонних квазимолекул у германій/кремнійових подвійних квантових точках
DOI: https://doi.org/10.15407/hftp13.04.383
Анотація
Розвинуто теорію екситонних квазімолекул (утворених із просторово розділених електронів і дірок) у наносистемі, що складається з подвійних квантових точок (КТ) германію, синтезованих у кремнієвій матриці. Показано, що енергія зв’язку основного синглетного стану екситонної квазімолекули значно більша (майже на два порядки) за енергію зв’язку біекситону в монокристалі кремнію. Установлено, що утворення екситонної квазимолекули має пороговий характер і можливе в наносистемі, в якій відстань D між поверхнями КТ визначається умовою (де і – деякі критичні відстані). Використовуючи варіаційний метод, отримано енергію зв'язку основного синглетного стану екситонної квазімолекули в такій системі, як функцію відстані D між поверхнями КТ та радіуса а КТ. Показано, що зближення двох КТ до певного критичного значення DC між поверхнями КТ, призводить до ефективного перекриття хвильових функцій електрона та виникнення обмінних взаємодій. В результаті можуть бути створені умови для виникнення екситонних квазимолекул з КТ. Установлено, що існування критичної відстані було наслідком квантових розмірних ефектів. Розмірне квантування руху електронів і дірок призводило до того, що зі зменшенням відстані D між поверхнями КТ зменшення енергій взаємодії електронів і дірок, які входили в гамільтоніан екситонної квазімолекули, не змогло компенсувати збільшення кінетичної енергії електронів та дірок. На більших відстанях D між поверхнями КТ, таких що , екситонна квазимолекула розпадалась на два екситони (що складались з просторово розділених електронів і дірок), локалізованих над поверхнями КТ. Той факт, що енергія основного стану синглетної екситонної квазімолекули знаходиться в інфрачервоному діапазоні спектра, імовірно, дозволяє використовувати квазімолекули для створення нових елементів кремнієвої інфрачервоної нанооптоелектроніки.
Ключові слова
Посилання
Yakimov A.I., Dvurechensky A.V., Nikiforov A.I. Spatial separation of electrons and holes of quantum dots Ge/Si. JETP Lett. 2001. 73(10): 598. https://doi.org/10.1134/1.1387520
Yakimov A.I., Dvurechensky A.V., Stepina N.P., Nikiforov A.I. Effects of electron-electron interaction in the optical properties of dense arrays of quantum dots Ge/Si. J. Exp. Theor. Phys. 2001. 119(3): 574. https://doi.org/10.1134/1.1364747
Smagina G.V., Dvurechensky A.V., Selesnev V.A. Linear chains of quantum dots Ge/Si when grown on the structured surface, articulated ion irradiation. Semiconductors. 2015. 49(6): 767. https://doi.org/10.1134/S1063782615060238
Stepina N.P., Yakimov A.I., Nenashev A.V., Dvurechensky A.V., Sobolev N.A., Leitao J.P., Kirienko V.V., Nikiforov A.I., Koptev E.S., Pereira L., Carmo M.C. Photoconductivity over an array of tunnel-connected quantum dots Ge/Si. 2006. J. Exp. Theor. Phys. 130: 309.
Yakimov A.I., Dvurechensky A.V., Kirienko V.V., Yakovlev Yu.I. Long- range Coulomb interaction in arrays of self-assembler quantum dots Ge/Si. Phys. Rev. B. 2000. 61(16): 10868. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.10868
Pokutnyi S.I. Excitons formed from spatially separated electrons and holes in geterostructures Ge/Si with quantum dots Ge. Low Temp. Phys. 2016. 42(12): 1471. https://doi.org/10.1063/1.4973506
Pokutnyi S.I. On an exciton with a spatially separated electron and hole in quasi-zero-dimensional semiconductor nanosystems. Semiconductors. 2013. 47(6): 791. https://doi.org/10.1134/S1063782613060225
Yakimov A.I., Bloshkin A.A., Dvurechensky A.V. Excitons in Ge/Si double quantum dots. JETP Lett. 2009. 90(8): 569. https://doi.org/10.1134/S0021364009200041
Pokutnyi S.I. Biexcitons formed from spatially separated electrons and holes in quasi-zero-dimensional semiconductor nanosystems. Semiconductors. 2013. 47(12): 1626. https://doi.org/10.1134/S1063782613120178
Lalumiure K., Sanders B., Van Loo F., Fedorov A., Wallraff A., Blais A. Imput - output theory for waveguide QED with an ensemble of inhomogeneous atoms. Phys. Rev. A. 2013. 88: 43806. https://doi.org/10.1103/PhysRevA.88.043806
Van Loo F., Fedorov A., Lalumiure K., Sanders B.C., Blais A., Wallraff A. Photon-mediated interactions between distant artificial atoms. Science. 2013. 342(6165): 1494. https://doi.org/10.1126/science.1244324
Efimkin D.K., Lozovik, Y.E. Sokolik A.A. Electron - hole pairing in a topological insulator thin film. Phys. Rev. B. 2012. 86(11): 115436. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.115436
Lozovik Y.E. Electronic and collective properties of topological insulators. Adv. Phys. Sci. 2014. 57(4): 653.
Valiev K. Quantum computers and quantum computing. Adv. Phys. Sci. 2005. 48 (1): 1. https://doi.org/10.1070/PU2005v048n01ABEH002024
Ukhanov Y.I. Optical properties of semiconductors. (Moscow: Nauka, 1977). [in Russian].
DOI: https://doi.org/10.15407/hftp13.04.383
Copyright (©) 2022 S. I. Pokutnyi, N. G. Shkoda, J. Usik
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.