Хімія, фізика та технологія поверхні, 2012, 3 (1), 90-93.

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція



G. A. Paschenko, M. Yu. Kravetsky, A. V. Fomin

Анотація


Методом хімічного травлення на підкладках GaAs(100) та GaAs(111) отримано шари мікропоруватого GaAs. Травлення підкладок проводилось в розчинах на основі HF, HNO3 та Н2О2 як окиснювачі. При формуванні поруватої поверхні з використанням HNO3 отримано губчасті шари; при використанні Н2О2 пори набували форму пірамід однакової орієнтації, що рівномірно вкривали поверхню. Спектри фотолюмінісценції шарів характеризуються наявністю широкої смуги у видимій області спектра, структура якої не є елементарною. Смуга видимої фотолюмінісценції розкладається на три гауссівські підсмуги з Емаx , що дорівнюють 2.844, 2.508 та 1.85 еВ, і визначається не випромінюванням оксидів складових елементів, а обумовлена в основному квантово-розмірним ефектом. Згідно з оцінкою, розміри кристалітів складають 6.5, 4 та 3.5 нм з переважанням кристалітів діаметром 4 нм.

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Fathaner R.W. Appl. Phys. Lett. 1992. 60. 995–997.

Kelly Michael T. , Chan Jonathen K.M. Appl. Phys. Lett. 1994. 64. (13). 1693–1695.

Зимин С.П. Пористый кремний – материал с новыми свойствами // Физика. Соросовский образовательный журнал. – 2004. – Т. 8, № 1. – С. 101–107.

Фомин А.В., Кравецкий М.Ю., Пащенко Г.А. Получение слоев пористого GaAs методом окрашивающего травления // Матер. V Междунар. конф. “Научные достижения – теория и эксперимент 2009”. - Полтава, 2009. – Т. 8. – С. 45–49.

Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотолю-минесценция пористого арсенида галлия // Физ. техн. полупров. – 1997. – Т. 31, № 11. – С. 1383–1385.

Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А. и др. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия // Физ. техн. полупров. – 2000. – Т. 34, № 8. – С. 757–761.




Copyright (©) 2012 G. A. Paschenko, M. Yu. Kravetsky, A. V. Fomin

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.