Study on of Thermophysical Properties of Crystalline Silicon
Abstract
The thermophysical properties of Si (c) have been studied theoretically. Using the Comsol Multiphysics software package, mathematical modeling of temperature distribution in the Si (c) plate is carried out. It has been shown that femtosecond laser pulses can efficiently warm samples of crystalline silicon. The near-surface region with thickness of 5 microns is heated most efficiently.References
Semchuk, O.Yu., Semioshko, V.N., Grechko, L.G. et al. Applied Surface Science. 2006. 252. 4759.
Ахманов С.А., Емельянов В.И., Коротеев Н.И. и др. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика // Успехи физ. наук. – 1985. – Т. 147, № 4. – С. 675–745.
Schaaf, P. Prog. Mater. Sci. 2002. 47. 1.
Pereira, A., Cross, A., Delaporte, P.et al. Appl. Phys. A. 2004. 79. 1433.
Лисовченко В.Н., Конакова З.В., Коноплев Б.Г. и др. Уменьшение поглощения в струк-турах кварц/Si , кварц/SiO2 и SiC/Si/SiO2 под влиянием лазерной обработки // Физика и техника полупроводников. – 2010. – Т. 44, № 3. – С. 326–329.
Заботнов С.Е., Ежок А.А., Головань Л.А. и др. Формирование наночастиц на поверх-ности кремния под действием фемто-секундных лазерных импульсов // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, № 8. – С. 1017–1020.
Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузан Л.Ф. и др. Образование наноразмерных струк-тур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульс-ного излучения рубинового лазера // Физика и техника полупроводников. – 2005. – Т. 39, № 9. – С. 1064–1067.
Шур В.Я., Кузнецов Д.К., Лобов А.И. и др. Поверхностные самоподобные монодо-менные структуры, индуцированные лазер-ным излучением в ниобате лития // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т. 50, № 4. – С. 689–695.
Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Воро-тилов К.А и др. Электронная микро-скопия структуры композиций пленок титаната бария–стронция на подложках Pt-Ti-SiO2-Si после лазерного отжига // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 51, № 7. – С. 1398–1399.
Лыков А.В. Теория теплопроводности. – Москва: Высшая школа, 1967. – 600 с.
Downloads
How to Cite
Issue
Section
License
- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work.

