Хімія, фізика та технологія поверхні, 2016, 7 (2), 246-250.

Ефект локалізації фотопровідності в структурах макропористого кремнію



DOI: https://doi.org/10.15407/hftp07.02.246

N. I. Karas, K. A. Parshin

Анотація


Досліджено поверхневу фотопровідність структур макропористого кремнію (МПК) з оксидним покриттям завтовшки від 3 до 30 нм при сильному поверхневому поглинанні світла, коефіцієнт поглинання змінювався від 330 до 105 см-1 (довжина хвилі від 0.93 до 0.4 мкм відповідно). На довжині хвилі 0.4 і 0.57 мкм і товщині оксидного покриття від 3 до 15 нм проявлялась поверхнева монополярна негативна фотопровідність (ФП), що пояснюється інверсійним вигином зон в приповерхневих шарах напівпровідника і прилипанням основних носіїв заряду на так званих «повільних» поверхневих рівнях. При товщині оксидного покриття 30 нм проявлялась позитивна фотопровідність з аномальною спектральною залежністю: із збільшенням коефіцієнта поглинання від 330 до 105 см-1 (зменшенням довжини хвилі від 0.93 до 0.4 мкм) ФП не зменшувалась, а зростала – проявлявся ефект локалізації ФП в області просторового заряду (ОПЗ).

Ключові слова


інверсійний вигин зон; виснажуючий вигин зон; вбудований заряд; негативна ФП; позитивна ФП; ефект локалізації ФП в ОПЗ; «повільні» поверхневі рівні

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


1. Karas M.I. Negative photoconductivity in macroporous silicon structures. New Technologies. 2010. 1(27): 118. [In Russian].

2. Karachevtseva K.A., Litvinenko O.A., Malovichko E.A. Stabilization of electrochemical formation of macropores in n-Si. Theor. Exp. Chem. 1998. 34(5): 287. https://doi.org/10.1007/BF02523264

3. Karas M.I. Negative photoconductivity and the surface barrier effect – two connected surface effects in macroporous silicon. Optoelectronics and Semiconductor Technics. 2014. 49: 88. [In Russian].

4. Karas M.I. Positive and negative photoconductivity in macroporous silicon. In: VI Ukrainian Sci. Conf. on Semiconductor Physics. (2013). P. 276. [In Russian].

5. Zuev V.O., Sachenko A.V. Theoretical investigation of the surface sensinive photoeffects. Ukr. Phys. J. 1973. 18(10): 1680. [In Ukrainian].

6. Litovchenko V.G., Lyashenko V.I. Adhesion of nonequilibrium charge carriers on Ge surface. Physics of the solid state. 1962. 4(8):1985. [In Russian].

7. Sachenko A.V., Snitko O.V. Photoeffects in presurface semiconductor layers. (Kyiv: Naukova Dumka, 1984). [In Russian].

8. Alexandrov O.V., Dus' A.I. Model of the fix charge formation in the thermal silicon dioxide. Semiconductors. 2011. 45(4): 474.

9. Fedotov Ya.A. Semiconductor devices and its application. (Moscow: Sov. Radio, 1971). [In Russian].




DOI: https://doi.org/10.15407/hftp07.02.246

Copyright (©) 2016 N. I. Karas, K. A. Parshin

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.