Хімія, фізика та технологія поверхні, 2012, 3 (2), 178-183.

Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота



P. S. Chukhnenko, Yu. B. Khalavka, V. G. Ivanits'ka, Z. F. Tomashik, V. M. Tomashik, I. B. Stratiychuk

Анотація


Досліджено характер хімічного розчинення нелегованого та легованого елементами IV-А підгрупи (Ge, Sn, Pb) кадмій телуриду травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота. Побудовано проекції поверхонь однакових швидкостей травлення та визначено концентраційні межі поліруючих розчинів. Показано, що процес розчинення вказаних матеріалів лімітується дифузійними стадіями. Досліджено стан поверхні після травлення методами мікроструктурного аналізу і скануючої електронної мікроскопії, та визначено склад поверхневих шарів методом енергодисперсійного рентгенівського спектрального аналізу.

Повний текст:

PDF

Посилання


Перевощиков В.А. Процессы химико-динамического полирования поверхности полупроводников // Высокочистые вещества. – 1995. – № 2. – С. 5–29.

Фодчук І.М., Баловсяк С.В. Діагностика поверхні твердого тіла. – Чернівці: Рута, 2007. – 287 с.

Van de Ven J., Lourens A.F., Weyher J.L., Giling L.J. Chemtronics. 1986. 1. 19.

Weyher J.L., Fornari R., Görög T. Mat. Sci. Eng. 1994. 28. 488.

Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Любченко А.В., Фомин А.В. Жидкофазное травление полупроводниковых соединений типа АIIВVI и физико-химические процессы на границе раздела (обзор) // Oптоэлектроника и полупроводниковая тех-ника. – 1994. – Вып. 28. – C. 3–15.

Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Химическое травление полупроводниковых соединений типа АIIВVI // Неорган. материалы. – 1993. – T. 29, № 5. – C. 717–718.

Орлов Ю.Ф., Комисарчик М.Ш. Химическое растворение монокристаллов селенида и теллурида кадмия в растворах оксида хрома (VI) в галогенводородных кислотах HF и HCl // Журн. прикл. химии. – 1997. – Т. 70, № 1. – С. 32–35.

Черепин В.Г., Васильев М.А. Справочник. Методы и приборы для анализа поверхности материаллов. – Киев: Наукова думка, 1982. – 396 с.

Поп С.С., Шароді І.С. Фізична електроніка. – Львів: Євросвіт, 2001. – 250 с.

Данильченко С.М., Калініченко Т.Г., Колесник М.М. та ін. Структура та електрофізичні властивості тонких плівок з’єднань ZnTe і ZnS // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – Т. 9, № 2. – С. 343–349.

Khalavka Y., Sönnichsen C. Adv. Materials. 2008. 20. 588.

Новик Ф.С. Планирование эксперимента на симплексе при изучении металлургических систем – Москва: Металлургия, 1985. – 256 с.

Реми Г. Курс неорганической химии. – Москва: Мир, 1974. – Т. II. – 775 с.

Фейчук П.И., Феш Р.Н., Панчук О.Э., Щербак Л.П. Травление монокристаллов CdTe // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1981. – T. 17, № 6. – C. 1118–1119.




Copyright (©) 2012 P. S. Chukhnenko, Yu. B. Khalavka, V. G. Ivanits'ka, Z. F. Tomashik, V. M. Tomashik, I. B. Stratiychuk