Хімія, фізика та технологія поверхні, 2011, 2 (4), 413-416.

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›



A. M. Pashayev, B. G. Tagiev, A. A. Safarzade

Анотація


Вивчено процеси утворення нанорозмірних дефектів на поверхнях шаруватих кристалів, а також формування на них напівпровідникових наноструктур. Для дослідження морфологічних характеристик поверхні використано метод атомно-силової мікроскопії. Виявлено морфологічні особливості наноструктур на сколотій поверхні кристала GaSe, що містить 0,01% Sn за нормальних умов.

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Basinski Z.S., Dove D.B., Mooser E. Relationship between structures and dislocation in GaS and GaSe // Helv. Phys. Acta. – 1961. – V. 34. – P. 373–378.

Allakhverdiev K., Hana S., Kulibekov(Ulubeyov) A. et al. Room-temperature mid-, and far-infrared absorption and electrical properties of intercalated GaSe and TlInS2 crystals // Int. J. Infrared Millimeter Waves. – 2005. – V. 26. – P. 1741–1749.

Cote M., Cohen M.L. Theoretical study of the structural and electronic properties of GaSe nanotubes // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 58. – P. 4277–4280.

Божков В.Г., Торхов Н.А., Ивонин И.В., Новиков В.А. Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т. 42, № 5. – С. 546–554.

Торхов Н.А., Божков В.Г., Ивонин И.В., Новиков В.А. Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 1. – С. 38–47.

Торхов Н.А., Божков В.Г., Ивонин И.В., Новиков В.А. Фрактальный характер распределения неоднородностей потенциала поверхности n-GaAs(100) // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 5. – С. 577–580.

Божков В.Г., Торхов Н.А., Новиков В.А. и др. Влияние различных обработок на фрактальный характер рельефа поверхности арсенида галлия // Поверхность. – 2011. – № 1. – С. 81–96.

Terhell I.C.I. Polytypism in the III-VI layer compounds // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. – 1983. – V. 7. – P. 55–110.

Guesdon J.P., Kobbi B., Julien C., Balkanski M. Electrical and photovoltaic properties of InxSe1−x thin films // Phys. Status Solidi A. – 1987. – V. 102. – P. 327–325.

Williams R.H., McAvej A.J. Electron emission studies from GaSe surfaces // J. Vac. Sci. Technol. – 1972. – V. 9. – P. 867–870.

Pearson W.B. The crystal structures of semiconductors and a general valence rule // Acta Crystallogr. – 1964. – V. 17. – P. 1–15.

Cuculescu E., Evtodiev I., Caraman M., Leontiev L. Study of generation-recombination processes of non-equilibrium charge carriers in single crystalline thin GaSe(Cu) films // J. Optoelectron. Adv. Mater. – 2006. – V. 8. – P. 112–118.




Copyright (©) 2011 A. M. Pashayev, B. G. Tagiev, A. A. Safarzade

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.