Хімія, фізика та технологія поверхні, 2011, 2 (3), 249-252.

Вплив адсорбції кисню і води на термоелектричну роботу виходу монокристалів GeS



N. D. Savchenko, T. N. Shchurova, I. I. Opachko, T. I. Panait, K. O. Popovic

Анотація


Представлено результати теоретичних та експериментальних досліджень впливу адсорбції молекул кисню та води на термоелектричну роботу виходу монокристалів GeS. Поверхневий вигин енергетичних зон при адсорбції кисню та води визначався в рамках теоретичного підходу, розробленого У.А. Харрісоном на основі методів ЛКАО та псевдопотенціалу. Розраховані значення поверхневого вигину енергетичних зон при адсорбції молекул кисню та води для монокристалів GeS кількісно узгоджуються з експериментальними значеннями зміни термоелектричної роботи виходу, одержаними з вимірів контактної різниці потенціалів.

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


Vaughn D.D., Patel R.J., Hickner M.A., Schaak R.E. Single-crystal colloidal nanosheets of GeS and GeSe // J. Am. Chem. Soc. – 2010. – V. 132, N 43. – P. 15170–15172.

Solanki G.K., Patel D.B., Unadkat S.R., Agarwal M.K. Synthesis and characterization of germanium monosulphide (GeS) single crystals grown using different transporting agents // Pramana (Journal of physics). – 2010. – V. 74, N 5. – P. 813–825.

An’chkov D.G., Davydov S.Yu. Effect of adsorption on the surface mobility of carriers in the semiconductor substrate // Phys. Solid State. – 2011. – V. 53, N 4. – P. 820–823.

Harrison W.A. Elementary Electronic Structure, –London: World Scientific Publishing Co., 2004. – 838 p.

Shchurova T.N., Savchenko N.D., Kondrat A.B., Opachko I.I. Auger analysis and simulation of electronic states for Ge33As12Se55 ‑ p-Si heterojunction // Surf. Interface Anal. – 2006. – V. 38. – P. 448–451.

Shchurova T., Savchenko N., Kondrat A. et al. Simulation of the surface bending of energy band for binary chalcogenide semiconductors // Photoelectronics. – 2008. – V. 17. – P. 104–107.

Savchenko N.D., Shchurova T.N., Popovych K.O. et al. Simulation of electronic states in the band gap of ZnS: Cu, Cl crystallophosphors // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2004 – V. 7, N 2. – P. 133–137.

Mann J. B. Atomic structure calculations. I. Hartree-Fock Energy Results for Elements from Hydrogen to Lawrencium. – Springfield: Clearinghouse, 1967. – P. 22151–22160.

Harrison W.A. Coulomb interactions in semiconductors and insulators // Phys. Rev. B. – 1985. – V. 31. – P. 2121–2132.

Harrison W.A. Total energies in the tight-binding theory // Phys. Rev. B. – 1981. – V. 23. – P. 5230–5245.

Paxton A.T., Kohanoff J.J. A tight binding model for water // J. Chem. Phys. – 2011. – V. 134. – P. (044130) 1–11.

Morrill J.S., Ginter M.L., Hwang E.S. et al. Two-photon REMPI spectra from a1Dg and b1Sg+ to d1Pg in O2 // J. Mol. Spectrosc. – 2003. – V. 219, N 2. – P. 200–216.

Bletskan D.I., Madyar I.I., Mikulaninets S.V., Sichka M.Yu. Electrical and photoelectric properties of GeS layered crystals grown by different techniques // Inorg. Mater. – 2000. – V. 36, N 6. – P. 544–550.

Bletskan D.I., Budiansky V.I., Gorodetsky I.Ya. et al. Investigation of local centres in layered GeS compound // Physics and Technology of Semiconductors. – 1975. – V. 9, N 8. – P. 1512–1516. (in Russian).




Copyright (©) 2011 N. D. Savchenko, T. N. Shchurova, I. I. Opachko, T. I. Panait, K. O. Popovic

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.